货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.859681 | ¥4.86 |
10 | ¥3.476542 | ¥34.77 |
100 | ¥1.751977 | ¥175.20 |
500 | ¥1.552607 | ¥776.30 |
1000 | ¥1.208191 | ¥1208.19 |
2000 | ¥1.081342 | ¥2162.68 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 470 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RV2C010UN
单位重量 11.425 mg
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0RV2C010UNT2L
型号:RV2C010UNT2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.859681 |
10+: | ¥3.476542 |
100+: | ¥1.751977 |
500+: | ¥1.552607 |
1000+: | ¥1.208191 |
2000+: | ¥1.081342 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.86