
货期:国内(1~3工作日)
起订量:300
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 300 | ¥0.573177 | ¥171.95 |
| 500 | ¥0.341946 | ¥170.97 |
| 1000 | ¥0.239338 | ¥239.34 |
| 3000 | ¥0.170973 | ¥512.92 |
| 6000 | ¥0.162382 | ¥974.29 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3.8 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 137 ns
上升时间 62 ns
晶体管类型 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 325 ns
典型接通延迟时间 46 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RE1C001ZP
单位重量 2.400 mg
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0RE1C001ZPTL
型号:RE1C001ZPTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 300+: | ¥0.573177 |
| 500+: | ¥0.341946 |
| 1000+: | ¥0.239338 |
| 3000+: | ¥0.170973 |
| 6000+: | ¥0.162382 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00