货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.94241 | ¥4.94 |
10 | ¥3.743875 | ¥37.44 |
25 | ¥3.375666 | ¥84.39 |
100 | ¥1.780504 | ¥178.05 |
250 | ¥1.762463 | ¥440.62 |
500 | ¥1.578112 | ¥789.06 |
1000 | ¥1.228189 | ¥1228.19 |
2500 | ¥1.123781 | ¥2809.45 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 850 ns
正向跨导(Min) 2.2 S
上升时间 290 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 2.55 us
典型接通延迟时间 170 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1C026ZP
单位重量 6 mg
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0RW1C026ZPT2CR
型号:RW1C026ZPT2CR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.94241 |
10+: | ¥3.743875 |
25+: | ¥3.375666 |
100+: | ¥1.780504 |
250+: | ¥1.762463 |
500+: | ¥1.578112 |
1000+: | ¥1.228189 |
2500+: | ¥1.123781 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.94