
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.19014 | ¥7.19 |
| 10 | ¥4.849521 | ¥48.50 |
| 100 | ¥3.289107 | ¥328.91 |
| 500 | ¥2.565504 | ¥1282.75 |
| 1000 | ¥2.325476 | ¥2325.48 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 850 ns
正向跨导(Min) 2.2 S
上升时间 290 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 2.55 us
典型接通延迟时间 170 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1C026ZP
单位重量 6 mg
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0RW1C026ZPT2CR
型号:RW1C026ZPT2CR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.19014 |
| 10+: | ¥4.849521 |
| 100+: | ¥3.289107 |
| 500+: | ¥2.565504 |
| 1000+: | ¥2.325476 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.19