
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.788359 | ¥3.79 |
| 10 | ¥2.318477 | ¥23.18 |
| 100 | ¥1.442607 | ¥144.26 |
| 500 | ¥1.058317 | ¥529.16 |
| 1000 | ¥0.933907 | ¥933.91 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RUC002N05
单位重量 8 mg
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0RUC002N05T116
型号:RUC002N05T116
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.788359 |
| 10+: | ¥2.318477 |
| 100+: | ¥1.442607 |
| 500+: | ¥1.058317 |
| 1000+: | ¥0.933907 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.79