
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.688726 | ¥5066.18 |
| 6000 | ¥1.59987 | ¥9599.22 |
| 9000 | ¥1.481357 | ¥13332.21 |
| 30000 | ¥1.466676 | ¥44000.28 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 135 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 4.9 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 1.2 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 182.800 mg
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0RTR020P02HZGTL
型号:RTR020P02HZGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.688726 |
| 6000+: | ¥1.59987 |
| 9000+: | ¥1.481357 |
| 30000+: | ¥1.466676 |
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