货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.896336 | ¥8.90 |
10 | ¥7.809006 | ¥78.09 |
100 | ¥5.982785 | ¥598.28 |
500 | ¥4.729884 | ¥2364.94 |
1000 | ¥3.783908 | ¥3783.91 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RSQ035N06HZGTR
型号:RSQ035N06HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.896336 |
10+: | ¥7.809006 |
100+: | ¥5.982785 |
500+: | ¥4.729884 |
1000+: | ¥3.783908 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.90