
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.851267 | ¥2553.80 |
| 6000 | ¥0.799651 | ¥4797.91 |
| 15000 | ¥0.748095 | ¥11221.42 |
| 30000 | ¥0.686145 | ¥20584.35 |
| 75000 | ¥0.660367 | ¥49527.53 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E080BN
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0RQ3E080BNTB
型号:RQ3E080BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.851267 |
| 6000+: | ¥0.799651 |
| 15000+: | ¥0.748095 |
| 30000+: | ¥0.686145 |
| 75000+: | ¥0.660367 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00