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RQ3E080BNTB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RQ3E080BNTB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.041105 3123.32
6000 0.97798 5867.88
15000 0.914926 13723.89
30000 0.83916 25174.80
75000 0.807634 60572.55

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 11 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 14.5 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 7 ns

上升时间 20 ns

晶体管类型 1 N-channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RQ3E080BN

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RQ3E080BNTB

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型号:RQ3E080BNTB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.041105
6000+: ¥0.97798
15000+: ¥0.914926
30000+: ¥0.83916
75000+: ¥0.807634

货期:1-2天

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