货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.276256 | ¥6.28 |
10 | ¥5.121425 | ¥51.21 |
100 | ¥3.489599 | ¥348.96 |
500 | ¥2.616697 | ¥1308.35 |
1000 | ¥1.962586 | ¥1962.59 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E080BN
购物车
0RQ3E080BNTB
型号:RQ3E080BNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.276256 |
10+: | ¥5.121425 |
100+: | ¥3.489599 |
500+: | ¥2.616697 |
1000+: | ¥1.962586 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.28