RQ3E080BNTB
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- 制造商编号：
- RQ3E080BNTB
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
- 渠道：
- digikey
库存 ：40756
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.1962 | ￥7.20 |
| 10 | ￥5.8721 | ￥58.72 |
| 100 | ￥4.001089 | ￥400.11 |
| 500 | ￥3.000241 | ￥1500.12 |
| 1000 | ￥2.250252 | ￥2250.25 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 14.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E080BN
RQ3E080BNTB 同类别型号
注
RQ3E080BNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RQ3E080BNTB
数据手册PDF。
RQ3E080BNTB
型号：RQ3E080BNTB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：40756 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.1962 |
| 10+： | ￥5.8721 |
| 100+： | ￥4.001089 |
| 500+： | ￥3.000241 |
| 1000+： | ￥2.250252 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.20