
货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ¥1.57689 | ¥78.84 |
| 200 | ¥1.44551 | ¥289.10 |
| 500 | ¥1.314131 | ¥657.07 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导(Min) 6 S
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
购物车
0RSH090N03TB1
型号:RSH090N03TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 50+: | ¥1.57689 |
| 200+: | ¥1.44551 |
| 500+: | ¥1.314131 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00