
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.838391 | ¥21.84 |
| 10 | ¥19.589941 | ¥195.90 |
| 100 | ¥15.744317 | ¥1574.43 |
| 500 | ¥12.935046 | ¥6467.52 |
| 1000 | ¥10.717612 | ¥10717.61 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 31 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 7.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 12.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RD3G500GN
单位重量 330 mg
购物车
0RD3G500GNTL
型号:RD3G500GNTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.838391 |
| 10+: | ¥19.589941 |
| 100+: | ¥15.744317 |
| 500+: | ¥12.935046 |
| 1000+: | ¥10.717612 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.84