
货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥21.541035 | ¥21541.03 |
| 2000 | ¥20.283163 | ¥40566.33 |
| 5000 | ¥19.459595 | ¥97297.98 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 8.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB80N06S2L-06 SP001067880
单位重量 4 g
购物车
0IPB80N06S2L06ATMA2
型号:IPB80N06S2L06ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥21.541035 |
| 2000+: | ¥20.283163 |
| 5000+: | ¥19.459595 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00