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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.86 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 178 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 130 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 230 ns
典型接通延迟时间 40 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RJ1G12BGN
单位重量 4 g
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0RJ1G12BGNTLL
型号:RJ1G12BGNTLL
品牌:ROHM
供货:锐单
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