货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 20 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 65 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RD3L220SN
单位重量 360 mg
购物车
0RD3L220SNTL1
型号:RD3L220SNTL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00