货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥10.147613 | ¥25369.03 |
5000 | ¥9.735622 | ¥48678.11 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 3.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 175 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 320 ns
上升时间 78 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 350 ns
典型接通延迟时间 26 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 771.020 mg
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0RS1E260ATTB1
型号:RS1E260ATTB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥10.147613 |
5000+: | ¥9.735622 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00