
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.998089 | ¥11.00 |
| 10 | ¥9.686268 | ¥96.86 |
| 100 | ¥7.427024 | ¥742.70 |
| 500 | ¥5.87139 | ¥2935.70 |
| 1000 | ¥4.697112 | ¥4697.11 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 43 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 14.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.7 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.4 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3L050GN
单位重量 219.080 mg
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0RQ3L050GNTB
型号:RQ3L050GNTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.998089 |
| 10+: | ¥9.686268 |
| 100+: | ¥7.427024 |
| 500+: | ¥5.87139 |
| 1000+: | ¥4.697112 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.00