
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.617034 | ¥11.62 |
| 10 | ¥10.242824 | ¥102.43 |
| 25 | ¥9.616637 | ¥240.42 |
| 100 | ¥6.981554 | ¥698.16 |
| 250 | ¥6.732779 | ¥1683.19 |
| 500 | ¥5.832885 | ¥2916.44 |
| 1000 | ¥4.964157 | ¥4964.16 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 11.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 17 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 123.267 mg
购物车
0RQ3E100ATTB
型号:RQ3E100ATTB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.617034 |
| 10+: | ¥10.242824 |
| 25+: | ¥9.616637 |
| 100+: | ¥6.981554 |
| 250+: | ¥6.732779 |
| 500+: | ¥5.832885 |
| 1000+: | ¥4.964157 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.62