货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥5.78088 | ¥11561.76 |
6000 | ¥5.563488 | ¥33380.93 |
10000 | ¥5.379319 | ¥53793.19 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
购物车
0TK5P60W,RVQ
型号:TK5P60W,RVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥5.78088 |
6000+: | ¥5.563488 |
10000+: | ¥5.379319 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00