货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥22.148215 | ¥22.15 |
10 | ¥18.399104 | ¥183.99 |
100 | ¥14.646282 | ¥1464.63 |
500 | ¥12.392608 | ¥6196.30 |
1000 | ¥10.514959 | ¥10514.96 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
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0TK5P60W,RVQ
型号:TK5P60W,RVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.148215 |
10+: | ¥18.399104 |
100+: | ¥14.646282 |
500+: | ¥12.392608 |
1000+: | ¥10.514959 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.15