
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥38.704372 | ¥38.70 |
| 10 | ¥24.997212 | ¥249.97 |
| 100 | ¥17.132423 | ¥1713.24 |
| 500 | ¥13.762541 | ¥6881.27 |
| 1000 | ¥12.677441 | ¥12677.44 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 900 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 10.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
购物车
0TK5P60W,RVQ
型号:TK5P60W,RVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥38.704372 |
| 10+: | ¥24.997212 |
| 100+: | ¥17.132423 |
| 500+: | ¥13.762541 |
| 1000+: | ¥12.677441 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥38.70