
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥176.939815 | ¥176.94 |
| 10 | ¥163.183172 | ¥1631.83 |
| 100 | ¥139.346516 | ¥13934.65 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 360 nC
耗散功率 797 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 125 ns
上升时间 130 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 690 ns
典型接通延迟时间 230 ns
高度 26 mm
长度 20 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 7 g
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0TK100L60W,VQ
型号:TK100L60W,VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥176.939815 |
| 10+: | ¥163.183172 |
| 100+: | ¥139.346516 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥176.94