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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 4.9 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 RTR020P02
单位重量 12 mg
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0RTR020P02TL
型号:RTR020P02TL
品牌:ROHM
供货:锐单
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