
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.697806 | ¥5.70 |
| 10 | ¥4.637749 | ¥46.38 |
| 100 | ¥3.161619 | ¥316.16 |
| 500 | ¥2.370817 | ¥1185.41 |
| 1000 | ¥1.778114 | ¥1778.11 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 2.4 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.85 mm
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RZF013P01
单位重量 6 mg
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0RZF013P01TL
型号:RZF013P01TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.697806 |
| 10+: | ¥4.637749 |
| 100+: | ¥3.161619 |
| 500+: | ¥2.370817 |
| 1000+: | ¥1.778114 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.70