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RSH065N06GZETB

ROHM(罗姆)
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制造商编号:
RSH065N06GZETB
制造商:
ROHM(罗姆)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE
渠道:
digikey

库存 :109

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 15.562974 15.56
10 12.736738 127.37
100 9.903032 990.30
500 8.393797 4196.90
1000 6.837625 6837.63

规格参数

关键信息

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 6.5 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 11 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 20 ns

上升时间 25 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 60 ns

典型接通延迟时间 13 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 RSH065N06

单位重量 83 mg

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RSH065N06GZETB

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型号:RSH065N06GZETB

品牌:ROHM

供货:锐单

库存:109 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥15.562974
10+: ¥12.736738
100+: ¥9.903032
500+: ¥8.393797
1000+: ¥6.837625

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