
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.844123 | ¥17.84 |
| 10 | ¥14.603631 | ¥146.04 |
| 100 | ¥11.354574 | ¥1135.46 |
| 500 | ¥9.624122 | ¥4812.06 |
| 1000 | ¥7.839853 | ¥7839.85 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 37 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RSH065N06
单位重量 83 mg
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0RSH065N06GZETB
型号:RSH065N06GZETB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.844123 |
| 10+: | ¥14.603631 |
| 100+: | ¥11.354574 |
| 500+: | ¥9.624122 |
| 1000+: | ¥7.839853 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.84