货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥17.831712 | ¥44579.28 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 27.6 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 240 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 60 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
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0TK28V65W,LQ
型号:TK28V65W,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥17.831712 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00