
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥44.201382 | ¥44.20 |
| 10 | ¥39.682075 | ¥396.82 |
| 100 | ¥32.516351 | ¥3251.64 |
| 500 | ¥27.679982 | ¥13839.99 |
| 1000 | ¥23.344563 | ¥23344.56 |
| 2000 | ¥22.738211 | ¥45476.42 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17.3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK17A65W,S5X
型号:TK17A65W,S5X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥44.201382 |
| 10+: | ¥39.682075 |
| 100+: | ¥32.516351 |
| 500+: | ¥27.679982 |
| 1000+: | ¥23.344563 |
| 2000+: | ¥22.738211 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥44.20