
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1.671872 | ¥1.67 |
| 10 | ¥1.628163 | ¥16.28 |
| 30 | ¥1.606309 | ¥48.19 |
| 100 | ¥1.573527 | ¥157.35 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 750 mA
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0MVGSF1N02LT1G
型号:MVGSF1N02LT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥1.671872 |
| 10+: | ¥1.628163 |
| 30+: | ¥1.606309 |
| 100+: | ¥1.573527 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.67