
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.15285 | ¥5382.13 |
| 5000 | ¥1.957163 | ¥9785.82 |
| 12500 | ¥1.866833 | ¥23335.41 |
| 25000 | ¥1.806612 | ¥45165.30 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 5.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM052NB03CR
单位重量 372.608 mg
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0TSM052NB03CR RLG
型号:TSM052NB03CR RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.15285 |
| 5000+: | ¥1.957163 |
| 12500+: | ¥1.866833 |
| 25000+: | ¥1.806612 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00