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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 14 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.1 mm
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK25E06K3,S1X(S
型号:TK25E06K3,S1X(S
品牌:Toshiba
供货:锐单
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