货期: 8周-10周
起订量:15000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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15000 | ¥4.142448 | ¥62136.72 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.9 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 24.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32.3 ns
典型接通延迟时间 8.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM170N06CH
单位重量 340 mg
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0TSM170N06CH C5G
型号:TSM170N06CH C5G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
15000+: | ¥4.142448 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00