
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.122338 | ¥28.12 |
| 10 | ¥25.257485 | ¥252.57 |
| 100 | ¥20.692428 | ¥2069.24 |
| 500 | ¥17.615342 | ¥8807.67 |
| 1000 | ¥14.856312 | ¥14856.31 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 15.8 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 130 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK16J60W,S1VE
型号:TK16J60W,S1VE
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.122338 |
| 10+: | ¥25.257485 |
| 100+: | ¥20.692428 |
| 500+: | ¥17.615342 |
| 1000+: | ¥14.856312 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.12