CTLDM3590 TR
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- 制造商编号：
- CTLDM3590 TR
- 制造商：
- CENTRAL(美国中央)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
- 渠道：
- digikey
库存 ：9487
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.511721 | ￥7.51 |
| 10 | ￥6.377876 | ￥63.78 |
| 100 | ￥4.762148 | ￥476.21 |
| 500 | ￥3.741689 | ￥1870.84 |
| 1000 | ￥2.891305 | ￥2891.30 |
| 2000 | ￥2.636189 | ￥5272.38 |
| 5000 | ￥2.466113 | ￥12330.57 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CTLDM3590 TR
制造商
CENTRAL(美国中央)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
160mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
3Ohm @ 100mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.46nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125mW (Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TLM3D6D8
封装/外壳
3-XFDFN
CTLDM3590 TR 同类别型号
注
CTLDM3590 TR品牌厂家：CENTRAL
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CTLDM3590 TR
数据手册PDF。
CTLDM3590 TR
型号：CTLDM3590 TR
品牌：CENTRAL
供货：锐单
库存：9487 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.511721 |
| 10+： | ￥6.377876 |
| 100+： | ￥4.762148 |
| 500+： | ￥3.741689 |
| 1000+： | ￥2.891305 |
| 2000+： | ￥2.636189 |
| 5000+： | ￥2.466113 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.51