货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥7.765431 | ¥19413.58 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 300 mOhms
耗散功率 104 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.85 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
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0TK12V60W,LVQ
型号:TK12V60W,LVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥7.765431 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00