货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2000 | ¥5.986391 | ¥11972.78 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 420 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 18.5 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK8P60W,RVQ
型号:TK8P60W,RVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥5.986391 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00