
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.969298 | ¥5.97 |
| 10 | ¥5.805756 | ¥58.06 |
| 30 | ¥5.696728 | ¥170.90 |
| 100 | ¥5.594513 | ¥559.45 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK5A50D(STA4,Q,M)
型号:TK5A50D(STA4,Q,M)
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.969298 |
| 10+: | ¥5.805756 |
| 30+: | ¥5.696728 |
| 100+: | ¥5.594513 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥5.97