
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥235.599038 | ¥235.60 |
| 10 | ¥216.55844 | ¥2165.58 |
| 100 | ¥182.891722 | ¥18289.17 |
| 500 | ¥162.695091 | ¥81347.55 |
| 1000 | ¥153.004787 | ¥153004.79 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 61.8 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 400 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 240 ns
典型接通延迟时间 80 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0TK62Z60X,S1F
型号:TK62Z60X,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥235.599038 |
| 10+: | ¥216.55844 |
| 100+: | ¥182.891722 |
| 500+: | ¥162.695091 |
| 1000+: | ¥153.004787 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥235.60