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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥94.008161 | ¥94.01 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 86 nC
耗散功率 240 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 165 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 0.85 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
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0TK31V60W,LVQ
型号:TK31V60W,LVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥94.008161 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥94.01