货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥11.083354 | ¥22166.71 |
6000 | ¥10.280212 | ¥61681.27 |
10000 | ¥9.878641 | ¥98786.41 |
50000 | ¥9.637698 | ¥481884.90 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 5.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0TK90S06N1L,LQ
型号:TK90S06N1L,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥11.083354 |
6000+: | ¥10.280212 |
10000+: | ¥9.878641 |
50000+: | ¥9.637698 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00