APT20M45BVR

APT20M45BVR概述

功率MOS V® POWER MOS V®

POWER MOS V®

POWER MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increase packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

FEATURES

• Faster switching

• Lower Leakage

• 100% Avalanche tested

• Popular TO-247 Package

• RoHS compliant


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin3+Tab TO-247


APT20M45BVR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 56A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4050pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买APT20M45BVR
型号: APT20M45BVR
制造商: Microsemi 美高森美
描述:功率MOS V® POWER MOS V®
替代型号APT20M45BVR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT20M45BVR

Microsemi 美高森美

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当前型号

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