对比图
型号 APT20M45BVR APT20M45BVRG SML20B56
描述 功率MOS V® POWER MOS V®功率MOS V® POWER MOS V®Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-247 TO-247-3 -
极性 N-CH N-CH -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) 56A 56.0 A -
上升时间 14 ns 14 ns -
输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 4860pF @25V(Vds) -
下降时间 7 ns 7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) -
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 56.0 A -
漏源极电阻 - 45 mΩ -
耗散功率 - 300 W -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 4.86 nF -
栅电荷 - 195 nC -
漏源击穿电压 - 200 V -
额定功率(Max) - 300 W -
封装 TO-247 TO-247-3 -
长度 - 16.26 mm -
宽度 - 5.31 mm -
高度 - 21.46 mm -
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Bulk Tube -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -