APT20M45BVR和APT20M45BVRG

对比图

型号 APT20M45BVR APT20M45BVRG SML20B56

描述 功率MOS V® POWER MOS V®功率MOS V® POWER MOS V®Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247 TO-247-3 -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 56A 56.0 A -

上升时间 14 ns 14 ns -

输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 4860pF @25V(Vds) -

下降时间 7 ns 7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300000 mW 300W (Tc) -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 56.0 A -

漏源极电阻 - 45 mΩ -

耗散功率 - 300 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 4.86 nF -

栅电荷 - 195 nC -

漏源击穿电压 - 200 V -

额定功率(Max) - 300 W -

封装 TO-247 TO-247-3 -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.31 mm -

高度 - 21.46 mm -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -