对比图
型号 APT20M45BVR SML20B56 APT20M45BVRG
描述 功率MOS V® POWER MOS V®N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS功率MOS V® POWER MOS V®
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Semelab Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247 - TO-247-3
极性 N-CH - N-CH
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
连续漏极电流(Ids) 56A - 56.0 A
上升时间 14 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) - 4860pF @25V(Vds)
下降时间 7 ns - 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW - 300W (Tc)
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 56.0 A
漏源极电阻 - - 45 mΩ
耗散功率 - - 300 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 4.86 nF
栅电荷 - - 195 nC
漏源击穿电压 - - 200 V
额定功率(Max) - - 300 W
封装 TO-247 - TO-247-3
长度 - - 16.26 mm
宽度 - - 5.31 mm
高度 - - 21.46 mm
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Bulk - Tube
RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)