ADS61B29IRGZR

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ADS61B29IRGZR中文资料参数规格
技术参数

电路数 1

通道数 1

耗散功率 660 mW

采样率 250000 KSPS

功耗 790 mW

模数转换数ADC 1

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 730 mW

输入通道数 1

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 VQFN-48

外形尺寸

封装 VQFN-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A001A5A3

数据手册

ADS61B29IRGZR引脚图与封装图
ADS61B29IRGZR引脚图
在线购买ADS61B29IRGZR
型号: ADS61B29IRGZR
制造商: TI 德州仪器
描述:14位/ 12位, 250 MSPS ADC,具有集成模拟缓冲器 14-/12-Bit, 250-MSPS ADCs With Integrated Analog Buffer
替代型号ADS61B29IRGZR
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