FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB3946 双极性晶体管, NPN与PNP, 40V, SSOT-6, 整卷
This complementary device is designed for use as a general purpose amplifier and switch The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23 and 66. See FFB3904 NPN and FFB3906 PNP for characteristics.
欧时:
### 双路和四路多片晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN & PNP Transistor General Purpose
艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
富昌:
NPN/PNP 40 V 200 mA 700 mW SMT General Purpose Amplifier - SSOT-6
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB3946 Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 40 V, 700 mW, 200 mA, 300 hFE, SuperSOT
Win Source:
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6SSOT
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN/PNP 40V SSOT-6
频率 200 MHz
额定电流 200 mA
针脚数 6
极性 N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 700 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 700 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99