IS42S32160B-6BLI-TR

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IS42S32160B-6BLI-TR概述

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143MHz, 90 Ball BGA 11mmx13mm RoHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA 11x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA


IS42S32160B-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32160B-6BLI-TR
型号: IS42S32160B-6BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143MHz, 90 Ball BGA 11mmx13mm RoHS, IT, T&R
替代型号IS42S32160B-6BLI-TR
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Integrated Silicon SolutionISSI

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