IS42VM16800G-75BLI

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IS42VM16800G-75BLI概述

128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT

SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54-Pin TFBGA


IS42VM16800G-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 55 mA

存取时间 7.5 ns

存取时间Max 8ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42VM16800G-75BLI
型号: IS42VM16800G-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm RoHS, IT
替代型号IS42VM16800G-75BLI
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