P沟道 30V 4.1A
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS V= -30V
ID=-4.1A
RDSON 52m VGS= -10V
RDSON 87m VGS= -4.5V
立创商城: P沟道 30V 4.1A
封装 SOT-23-3
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册