L08058R2DEWTR\3参数规格_中文资料_数据手册PDF

$L08058R2DEWTR\3图片1$

$L08058R2DEWTR\3图片2$

L08058R2DEWTR\3概述

8.2nH Unshielded Thin Film Inductor 750mA 120mOhm Max 0805 2012 Metric

8.2 nH 无屏蔽薄膜器 750 mA 120 毫欧最大 0805（2012 公制）

Win Source:
8.2nH Unshielded Thin Film Inductor 750mA 120 mOhm Max 0805 2012 Metric

L08058R2DEWTR\3中文资料参数规格

技术参数

额定电流 750 mA

电感 8.2 nH

自谐频率 3.5 GHz

屏蔽 No

测试频率 450 MHz

电阻DC） ≤120 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.11 mm

宽度 1.50 mm

高度 910 µm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买L08058R2DEWTR\3

型号： L08058R2DEWTR\3

描述：8.2nH Unshielded Thin Film Inductor 750mA 120mOhm Max 0805 2012 Metric