LN60A01EP-LF参数规格_中文资料_数据手册PDF

LN60A01EP-LF概述

PDIP N-CH 600V 0.08A

Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W Through Hole 8-PDIP

得捷:
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

富昌:
600V, 3 N-Channel FETs

Win Source:
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

LN60A01EP-LF中文资料参数规格

技术参数

通道数 3

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 0.08A

额定功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买LN60A01EP-LF

型号： LN60A01EP-LF

制造商： Monolithic Power Systems 美国芯源系统

描述：PDIP N-CH 600V 0.08A