MGSF2N02ELT1和MGSF2N02ELT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MGSF2N02ELT1 MGSF2N02ELT1G TSM2302CX RF

描述 2.8安培, 20伏, N沟道SOT- 23 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23ON SEMICONDUCTOR  MGSF2N02ELT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.078 ohm, 4.5 V, 1 VTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W

输入电容(Ciss) - 150pF @5V(Vds) 427.12pF @6V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.25W (Ta) 900 mW

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 2.80 A 2.80 A -

漏源极电阻 85.0 mΩ 0.078 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V -

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 2.80 A 2.80 A -

上升时间 95 ns 95 ns -

下降时间 95 ns 125 ns -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 1 V -

额定功率(Max) - 1.25 W -

长度 2.9 mm 3.04 mm 3.05 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 1.01 mm 0.95 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Obsolete Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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