对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BD140G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFEPower PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS BD140-10 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 SOT-32-3
针脚数 3 3 3
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 1.25 W 12.5 W 1.25 W
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 50 @100mA, 1V 63
直流电流增益(hFE) 40 12 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1250 mW 12.5 W 1250 mW
频率 - 50 MHz -
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -
额定电流 1.50 A -3.00 A -
增益频宽积 - 50 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -
集电极最大允许电流 1.5A 3A -
最大电流放大倍数(hFE) - 250 -
额定功率(Max) 1.25 W 1.5 W -
长度 - 8 mm 7.8 mm
宽度 - 3.25 mm 2.7 mm
高度 - 11 mm 10.8 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 SOT-32-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -